OSRAM Opto Semiconductors SFH 320 FA-Z Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
8мкс
Типичное время нарастания
8мкс
Максимальный темновой ток
50нА
Угол половинной чувствительности
±60 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Верхний светодиод
Размеры
3.4 x 3 x 1.92мм
Ток коллектора
15mA
Спектральный диапазон чувствительности
750 → 1120 нм
Минимальная определяемая длина волны
750нм
Максимальная определяемая длина волны
1120нм
Ширина
3мм
Напряжение насыщения
150мВ
Напряжение коллектор-эмиттер
35 V
Высота
1.92мм
Длина
3.4мм
Информация о товаре
Phototransistor TOPLED® Package
This family of NPN phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are from their TOPLED® series. The TOPLED® phototransistors have a surface mount (SMD) PLCC-2 package with a clear or daylight diffused lens.
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
8мкс
Типичное время нарастания
8мкс
Максимальный темновой ток
50нА
Угол половинной чувствительности
±60 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Верхний светодиод
Размеры
3.4 x 3 x 1.92мм
Ток коллектора
15mA
Спектральный диапазон чувствительности
750 → 1120 нм
Минимальная определяемая длина волны
750нм
Максимальная определяемая длина волны
1120нм
Ширина
3мм
Напряжение насыщения
150мВ
Напряжение коллектор-эмиттер
35 V
Высота
1.92мм
Длина
3.4мм
Информация о товаре
Phototransistor TOPLED® Package
This family of NPN phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are from their TOPLED® series. The TOPLED® phototransistors have a surface mount (SMD) PLCC-2 package with a clear or daylight diffused lens.