SFH 309 FA-3/4 ams OSRAM, 24 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin 3mm (T-1) package

Код товара RS: 665-5369Бренд: ams OSRAMПарт-номер производителя: SFH 309 FA-3/4
brand-logo
View all in Фототранзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ams OSRAM

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

7мкс

Типичное время нарастания

7мкс

Количество каналов

1

Максимальный ток освещения

4500мкА

Максимальный темновой ток

200нА

Угол половинной чувствительности

24 °

Полярность

NPN

Количество контактов

2

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

3 мм (T-1)

Размеры

4 x 4 x 5.2мм

Ток коллектора

15mA

Максимальная определяемая длина волны

1120нм

Спектральный диапазон чувствительности

730 → 1120 нм

Минимальная определяемая длина волны

730нм

Высота

5.2мм

Длина

4мм

Ширина

4мм

Информация о товаре

Phototransistor T-1 (3mm) Package

This family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices. They have both clear or black plastic lenses, the diffused lenses being used for daylight filters. Suitable applications include; photointerrupters, industrial electronics and for control/drive circuits.

IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SFH 309 FA-3/4 ams OSRAM, 24 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin 3mm (T-1) package
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

SFH 309 FA-3/4 ams OSRAM, 24 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin 3mm (T-1) package
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
10 - 10P.O.A.
20 - 40P.O.A.
50 - 90P.O.A.
100 - 240P.O.A.
250+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ams OSRAM

Spectrums Detected

Infrared

Типичное время затухания

7мкс

Типичное время нарастания

7мкс

Количество каналов

1

Максимальный ток освещения

4500мкА

Максимальный темновой ток

200нА

Угол половинной чувствительности

24 °

Полярность

NPN

Количество контактов

2

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

3 мм (T-1)

Размеры

4 x 4 x 5.2мм

Ток коллектора

15mA

Максимальная определяемая длина волны

1120нм

Спектральный диапазон чувствительности

730 → 1120 нм

Минимальная определяемая длина волны

730нм

Высота

5.2мм

Длина

4мм

Ширина

4мм

Информация о товаре

Phototransistor T-1 (3mm) Package

This family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices. They have both clear or black plastic lenses, the diffused lenses being used for daylight filters. Suitable applications include; photointerrupters, industrial electronics and for control/drive circuits.

IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors