OSRAM Opto Semiconductors SFH 3015 FA Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
7мкс
Типичное время нарастания
7мкс
Максимальный темновой ток
2нА
Угол половинной чувствительности
13 °
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Устройство бокового обзора
Размеры
3 x 1.4 x 2.41мм
Ток коллектора
15mA
Спектральный диапазон чувствительности
770 → 1090 нм
Минимальная определяемая длина волны
770нм
Максимальная определяемая длина волны
1090нм
Высота
2.41мм
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Phototransistor CHIPLED Package
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1500
P.O.A.
1500
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
7мкс
Типичное время нарастания
7мкс
Максимальный темновой ток
2нА
Угол половинной чувствительности
13 °
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Устройство бокового обзора
Размеры
3 x 1.4 x 2.41мм
Ток коллектора
15mA
Спектральный диапазон чувствительности
770 → 1090 нм
Минимальная определяемая длина волны
770нм
Максимальная определяемая длина волны
1090нм
Высота
2.41мм
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре