OSRAM Opto Semiconductors BPY 62-3/4 Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Visible Light
Обнаруженные спектры
Инфракрасный, видимый диапазон
Типичное время затухания
12мкс
Типичное время нарастания
12мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
5800мкА
Максимальный темновой ток
50нА
Угол половинной чувствительности
16 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-18
Размеры
5.6 x 5.6 x 6.2мм
Ток коллектора
100mA
Минимальная определяемая длина волны
400нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Спектральный диапазон чувствительности
400 → 1100 nm
Длина
5.6мм
Ширина
5.6мм
Высота
6.2мм
Информация о товаре
Phototransistor TO-18 package
This family of NPN phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are in standard TO-18 through-hole packages. These TO-18 metal can packages make these phototransistors ideal for applications in hostile environments.
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Visible Light
Обнаруженные спектры
Инфракрасный, видимый диапазон
Типичное время затухания
12мкс
Типичное время нарастания
12мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
5800мкА
Максимальный темновой ток
50нА
Угол половинной чувствительности
16 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-18
Размеры
5.6 x 5.6 x 6.2мм
Ток коллектора
100mA
Минимальная определяемая длина волны
400нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Спектральный диапазон чувствительности
400 → 1100 nm
Длина
5.6мм
Ширина
5.6мм
Высота
6.2мм
Информация о товаре
Phototransistor TO-18 package
This family of NPN phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are in standard TO-18 through-hole packages. These TO-18 metal can packages make these phototransistors ideal for applications in hostile environments.