OSRAM Opto Semiconductors BPX 65 Фотодиод
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
850нм
Тип корпуса
TO-18
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Функция усилителя
Нет
Количество контактов
2
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Типичное время затухания
0.012мкс
Ширина
5.5мм
Диаметр
4.8мм
Типичное время нарастания
0.012мкс
Ток короткого замыкания
10 μA
Полярность
Позитивный
Информация о товаре
PIN Photodiode - TO-18 Package
The BPX 65 PIN photodiode, from OSRAM Opto Semiconductors, are in TO-18 metal can packages. The metal can is hermetically sealed, making the BPX 65 ideal for applications in harsh environments up to 125°C. Other suitable applications include industrial electronics, high speed photo detectors and for control/drive circuits.
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
120
P.O.A.
120
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
850нм
Тип корпуса
TO-18
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Функция усилителя
Нет
Количество контактов
2
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Типичное время затухания
0.012мкс
Ширина
5.5мм
Диаметр
4.8мм
Типичное время нарастания
0.012мкс
Ток короткого замыкания
10 μA
Полярность
Позитивный
Информация о товаре
PIN Photodiode - TO-18 Package
The BPX 65 PIN photodiode, from OSRAM Opto Semiconductors, are in TO-18 metal can packages. The metal can is hermetically sealed, making the BPX 65 ideal for applications in harsh environments up to 125°C. Other suitable applications include industrial electronics, high speed photo detectors and for control/drive circuits.