OSRAM Opto Semiconductors BP 103-3/4 Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Visible Light
Типичное время затухания
12мкс
Типичное время нарастания
12мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
950мкА
Максимальный темновой ток
50нА
Угол половинной чувствительности
110 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-18
Размеры
5.5 x 5.5 x 3.6мм
Ток коллектора
100mA
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1100 нм
Длина
5.5мм
Ширина
5.5мм
Высота
3.6мм
Информация о товаре
Phototransistor TO-18 package
This family of NPN phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are in standard TO-18 through-hole packages. These TO-18 metal can packages make these phototransistors ideal for applications in hostile environments.
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Visible Light
Типичное время затухания
12мкс
Типичное время нарастания
12мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
950мкА
Максимальный темновой ток
50нА
Угол половинной чувствительности
110 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-18
Размеры
5.5 x 5.5 x 3.6мм
Ток коллектора
100mA
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1100 нм
Длина
5.5мм
Ширина
5.5мм
Высота
3.6мм
Информация о товаре
Phototransistor TO-18 package
This family of NPN phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are in standard TO-18 through-hole packages. These TO-18 metal can packages make these phototransistors ideal for applications in hostile environments.