Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальный непрерывный прямой ток
50A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
600V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
2V
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Кремниевое соединение
Пиковое время обратного восстановления
75нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
225A
Информация о товаре
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
тг 5 113,68
тг 5 113,68 Each (ex VAT)
1
тг 5 113,68
тг 5 113,68 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 24 | тг 5 113,68 |
25 - 99 | тг 4 259,91 |
100 - 249 | тг 3 888,90 |
250 - 499 | тг 3 549,18 |
500+ | тг 2 646,24 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальный непрерывный прямой ток
50A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
600V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
2V
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Кремниевое соединение
Пиковое время обратного восстановления
75нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
225A
Информация о товаре
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.