Vishay VEMD5080X01 Силиконовый PIN-фотодиод

Код товара RS: 161-2055Бренд: VishayПарт-номер производителя: VEMD5080X01
brand-logo
View all in Фотодиоды

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Spectrums Detected

Infrared

Длина волны пиковой чувствительности

950нм

Тип корпуса

QFN

Функция усилителя

Нет

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество контактов

4

Материал диода

Кремний

Минимальная определяемая длина волны

350нм

Типичное время затухания

70нс

Длина

5мм

Ширина

4мм

Высота

0.9мм

Пробивное напряжение

20V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Типичное время нарастания

70нс

Страна происхождения

Malaysia

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay VEMD5080X01 Силиконовый PIN-фотодиод

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

Vishay VEMD5080X01 Силиконовый PIN-фотодиод
Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Spectrums Detected

Infrared

Длина волны пиковой чувствительности

950нм

Тип корпуса

QFN

Функция усилителя

Нет

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество контактов

4

Материал диода

Кремний

Минимальная определяемая длина волны

350нм

Типичное время затухания

70нс

Длина

5мм

Ширина

4мм

Высота

0.9мм

Пробивное напряжение

20V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Типичное время нарастания

70нс

Страна происхождения

Malaysia