Transistor JFET N-Ch 50V 3mA S-Mini3

Код товара RS: 760-3126Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: 2SK209-Y(TE85L,F)
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

1.2 to 3.0mA

Максимальное напряжение сток-исток

10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-50V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-346 (SC-59)

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

2.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Ширина

1.5мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 98,34

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Transistor JFET N-Ch 50V 3mA S-Mini3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 983,40
20тг 1 966,80
30тг 2 950,20
40тг 3 933,60
50тг 4 470,00
60тг 5 364,00
70тг 6 258,00
80тг 7 152,00
90тг 8 046,00
100тг 8 493,00
110тг 9 342,30
120тг 10 191,60
130тг 11 040,90
140тг 11 890,20
150тг 12 739,50

тг 98,34

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Transistor JFET N-Ch 50V 3mA S-Mini3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 983,40
20тг 1 966,80
30тг 2 950,20
40тг 3 933,60
50тг 4 470,00
60тг 5 364,00
70тг 6 258,00
80тг 7 152,00
90тг 8 046,00
100тг 8 493,00
110тг 9 342,30
120тг 10 191,60
130тг 11 040,90
140тг 11 890,20
150тг 12 739,50

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 98,34тг 983,40
50 - 90тг 89,40тг 894,00
100 - 240тг 84,93тг 849,30
250 - 490тг 84,93тг 849,30
500+тг 84,93тг 849,30

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

1.2 to 3.0mA

Максимальное напряжение сток-исток

10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-50V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-346 (SC-59)

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

2.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Ширина

1.5мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Toshiba

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.