Техническая документация
Характеристики
Тип соединителя
Гнездо
Закрытый/Открытый
Открытый
Изоляция
Неизолированный
Толщина наконечника
0.851мм
Метод оконцовки
Обжим
Maximum Wire Size AWG
14AWG
Minimum Wire Size AWG
18AWG
Ширина наконечника
6.35мм
Материал контактов
Латунь
Minimum Wire Size mm²
0.8mm²
Maximum Wire Size mm²
2mm²
Размер наконечника
6.35 x 0.851мм
Покрытие контактов
Олово
Габаритная длина
20.57мм
Номер модели
5SY4514-8
Brand
TE ConnectivityСерия
FASTON 0.25
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 200 | P.O.A. |
250 - 1200 | P.O.A. |
1250 - 2450 | P.O.A. |
2500 - 4950 | P.O.A. |
5000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Тип соединителя
Гнездо
Закрытый/Открытый
Открытый
Изоляция
Неизолированный
Толщина наконечника
0.851мм
Метод оконцовки
Обжим
Maximum Wire Size AWG
14AWG
Minimum Wire Size AWG
18AWG
Ширина наконечника
6.35мм
Материал контактов
Латунь
Minimum Wire Size mm²
0.8mm²
Maximum Wire Size mm²
2mm²
Размер наконечника
6.35 x 0.851мм
Покрытие контактов
Олово
Габаритная длина
20.57мм
Номер модели
5SY4514-8
Brand
TE ConnectivityСерия
FASTON 0.25
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.