STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5

Код товара RS: 880-5474Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STY145N65M5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

138 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

Max247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

625 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

414 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.3мм

Прямое напряжение диода

1.5V

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 13 342,95

тг 13 342,95 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5
Select packaging type

тг 13 342,95

тг 13 342,95 Each (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 138 A, 650 V, 3-Pin Max247 STY145N65M5
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 29тг 13 342,95
30 - 89тг 12 229,92
90 - 299тг 11 291,22
300 - 599тг 10 486,62
600+тг 9 780,36

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

138 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

Max247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

625 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

414 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.3мм

Прямое напряжение диода

1.5V

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics