Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
138 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh
Тип корпуса
Max247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
625 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
5.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
414 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.3мм
Прямое напряжение диода
1.5V
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 13 342,95
тг 13 342,95 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 13 342,95
тг 13 342,95 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 29 | тг 13 342,95 |
30 - 89 | тг 12 229,92 |
90 - 299 | тг 11 291,22 |
300 - 599 | тг 10 486,62 |
600+ | тг 9 780,36 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
138 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh
Тип корпуса
Max247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
625 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
5.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
414 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.3мм
Прямое напряжение диода
1.5V
Информация о товаре