STMicroelectronics MJD45H11T4 PNP Transistor, -8 A, -80 V, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 686-7907Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: MJD45H11T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

40

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.4 x 6.6 x 6.2мм

Информация о товаре

PNP Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 223,50

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics MJD45H11T4 PNP Transistor, -8 A, -80 V, 3-Pin DPAK
Select packaging type

тг 223,50

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics MJD45H11T4 PNP Transistor, -8 A, -80 V, 3-Pin DPAK
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 223,50тг 2 235,00
50 - 90тг 219,03тг 2 190,30
100 - 240тг 147,51тг 1 475,10
250 - 490тг 147,51тг 1 475,10
500+тг 143,04тг 1 430,40
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

40

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.4 x 6.6 x 6.2мм

Информация о товаре

PNP Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать