Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
15 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.4 x 6.6 x 6.2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
20 - 80 | P.O.A. |
100 - 180 | P.O.A. |
200 - 380 | P.O.A. |
400 - 980 | P.O.A. |
1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
15 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.4 x 6.6 x 6.2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.