STMicroelectronics BD682 PNP Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 251-9893Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: BD682
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

7.8мм

Ширина

2.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

10.8мм

Размеры

7.8 x 2.7 x 10.8мм

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor BDX54CG Пара Дарлингтона
тг 15 054,96Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 408,05

тг 281,61 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics BD682 PNP Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:750, 3-Pin SOT-32

тг 1 408,05

тг 281,61 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics BD682 PNP Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:750, 3-Pin SOT-32
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 281,61тг 1 408,05
25 - 45тг 219,03тг 1 095,15
50 - 95тг 210,09тг 1 050,45
100 - 245тг 138,57тг 692,85
250+тг 138,57тг 692,85
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor BDX54CG Пара Дарлингтона
тг 15 054,96Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-32

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

7.8мм

Ширина

2.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

10.8мм

Размеры

7.8 x 2.7 x 10.8мм

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor BDX54CG Пара Дарлингтона
тг 15 054,96Each (In a Tube of 50) (ex VAT)