Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
DIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Конфигурация
Расстановка 7
Количество элементов на ИС
7
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Высота
3.74мм
Ширина
6.5мм
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
19.4 x 6.5 x 3.74мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
19.4мм
Ток базы
1.35mA
Информация о товаре
Darlinton Transistor Arrays, ROHM
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
DIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Конфигурация
Расстановка 7
Количество элементов на ИС
7
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Высота
3.74мм
Ширина
6.5мм
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
19.4 x 6.5 x 3.74мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
19.4мм
Ток базы
1.35mA
Информация о товаре