OSRAM Opto Semiconductors SFH 3710-Z Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Обнаруженные спектры
Инфракрасный, ультрафиолетовый, видимый диапазон
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
12.5мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
120 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SMD
Размеры
2.1 x 1.35 x 0.9мм
Ток коллектора
20mA
Спектральный диапазон чувствительности
350 → 950 нм
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
950нм
Ширина
1.35мм
Высота
0.9мм
Длина
2.1мм
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Обнаруженные спектры
Инфракрасный, ультрафиолетовый, видимый диапазон
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
12.5мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
120 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SMD
Размеры
2.1 x 1.35 x 0.9мм
Ток коллектора
20mA
Спектральный диапазон чувствительности
350 → 950 нм
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
950нм
Ширина
1.35мм
Высота
0.9мм
Длина
2.1мм
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.