Техническая документация
Характеристики
Brand
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
550нм
Тип корпуса
TO-18
Функция усилителя
Нет
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество контактов
2
Материал диода
Кремний
Высота
0.2дюйм
Диаметр
5.33мм
Серия
OSD
Полярность
Назад
Страна происхождения
Malaysia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
OSI Optoelectronics, OSD1-E IR Si Photodiode, Through Hole TO-18
1
P.O.A.
OSI Optoelectronics, OSD1-E IR Si Photodiode, Through Hole TO-18
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
550нм
Тип корпуса
TO-18
Функция усилителя
Нет
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество контактов
2
Материал диода
Кремний
Высота
0.2дюйм
Диаметр
5.33мм
Серия
OSD
Полярность
Назад
Страна происхождения
Malaysia