onsemi ULN2003ADR2G NPN Darlington Transistor, 500 mA 50 V HFE:1000, 16-Pin SOIC
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.1 V dc
Максимальный запирающий ток коллектора
50мкА
Высота
1.5мм
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
10мм
Ток базы
25mA
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2500
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.1 V dc
Максимальный запирающий ток коллектора
50мкА
Высота
1.5мм
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
10мм
Ток базы
25mA