ON Semiconductor TIP33CG Пара Дарлингтона

Brand

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

10 (Continuous) A, 15 (Peak) A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 V dc

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 V dc

Тип корпуса

TO-218

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В пост. тока

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 V dc

Максимальный запирающий ток коллектора

0.7mA

Высота

20.35мм

Ширина

4.9мм

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

15.2 x 4.9 x 20.35мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

15.2мм

Ток базы

3A

Страна происхождения

China