Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип корпуса
ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Число контактов
8
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.1 x 1.7 x 1.1мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
onsemi NTHD3100CT1G Dual Digital Transistor, 8-Pin ChipFET
3000
P.O.A.
onsemi NTHD3100CT1G Dual Digital Transistor, 8-Pin ChipFET
Информация о наличии не успела загрузиться
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип корпуса
ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Число контактов
8
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.1 x 1.7 x 1.1мм
Страна происхождения
Malaysia