Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiНапряжение питания
13.2V
Число контактов
8
Тип корпуса
SOIC
Количество выходов
2
Топология
Верхняя и нижняя сторона
Количество драйверов
2
Тип перемычки
Полумост
Полярность
Неинвертирующий
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Синхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Высота
1.5мм
Длина
5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, ON Semiconductor
Power drivers for MOSFET and IGBT in low side, high side, and half-bridge circuits.
MOSFET & IGBT Drivers, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiНапряжение питания
13.2V
Число контактов
8
Тип корпуса
SOIC
Количество выходов
2
Топология
Верхняя и нижняя сторона
Количество драйверов
2
Тип перемычки
Полумост
Полярность
Неинвертирующий
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Синхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Высота
1.5мм
Длина
5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Drivers, ON Semiconductor
Power drivers for MOSFET and IGBT in low side, high side, and half-bridge circuits.