onsemi MUN5212DW1T1G Dual NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
385 мВт
Конфигурация транзистора
Двойной
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Типичный коэффициент резистора
1
Резистор база-эмиттер
22кОм
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Типичный входной резистор
22 кΩ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
385 мВт
Конфигурация транзистора
Двойной
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Типичный коэффициент резистора
1
Резистор база-эмиттер
22кОм
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Типичный входной резистор
22 кΩ
Максимальная рабочая температура
+150 °C