onsemi MMBT5550LG NPN Transistor, 600 mA, 140 V, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 793-0769Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBT5550LT1G
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Количество элементов на ИС

1

Тип транзистора

NPN

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

60

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное напряжение коллектор-база

160 В пост. тока

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

140 В

Максимальный пост. ток коллектора

600 мА

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Батареи

3 x AAA Battery

Информация о товаре

703 Series

Approvals

Safety approvals: UL, CSA, FIMKO

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi MMBT5550LG NPN Transistor, 600 mA, 140 V, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

onsemi MMBT5550LG NPN Transistor, 600 mA, 140 V, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
100 - 100P.O.A.
200 - 400P.O.A.
500 - 900P.O.A.
1000 - 1900P.O.A.
2000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Количество элементов на ИС

1

Тип транзистора

NPN

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

60

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное напряжение коллектор-база

160 В пост. тока

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

140 В

Максимальный пост. ток коллектора

600 мА

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Батареи

3 x AAA Battery

Информация о товаре

703 Series

Approvals

Safety approvals: UL, CSA, FIMKO