Transistor JFET N-Channel SOT23

Код товара RS: 761-3688Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBFJ201
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.3 to 1.5mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-40 В

Максимальное напряжение сток-затвор

40V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 129,63

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Transistor JFET N-Channel SOT23
Select packaging type

тг 129,63

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Transistor JFET N-Channel SOT23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 225тг 129,63тг 3 240,75
250 - 725тг 62,58тг 1 564,50
750 - 1475тг 62,58тг 1 564,50
1500 - 2975тг 44,70тг 1 117,50
3000+тг 40,23тг 1 005,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.3 to 1.5mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-40 В

Максимальное напряжение сток-затвор

40V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.