ON Semiconductor BC546BTA Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
110
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Максимальная рабочая температура
150 °C
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, 60V to 100V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
110
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Максимальная рабочая температура
150 °C
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, 60V to 100V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.