Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
16 to 32mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-15V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CP
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
10пФ
Емкость исток-затвор
2.9пФ
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
1.1мм
Ширина
1.5мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 151,98
Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 151,98
Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
20 - 20 | тг 151,98 | тг 3 039,60 |
40 - 80 | тг 147,51 | тг 2 950,20 |
100 - 180 | тг 84,93 | тг 1 698,60 |
200 - 380 | тг 84,93 | тг 1 698,60 |
400+ | тг 80,46 | тг 1 609,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
16 to 32mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-15V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CP
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
10пФ
Емкость исток-затвор
2.9пФ
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
1.1мм
Ширина
1.5мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.