Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorКонфигурация диода
Общий анод
Тип направления
Однонаправленный
Максимальное напряжение фиксации
9.8V
Минимальное пробивное напряжение
6.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Рассеяние пиковой импульсной мощности
300W
Максимальный пиковый импульсный ток
17A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальный обратный ток утечки
10мкА
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.40мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре
ESD Protectors, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorКонфигурация диода
Общий анод
Тип направления
Однонаправленный
Максимальное напряжение фиксации
9.8V
Минимальное пробивное напряжение
6.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Рассеяние пиковой импульсной мощности
300W
Максимальный пиковый импульсный ток
17A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальный обратный ток утечки
10мкА
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Ширина
1.40мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре