Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
10 → 20mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-15V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CPH
Число контактов
5
Емкость сток-затвор
10пФ
Емкость исток-затвор
2.9пФ
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
0.9мм
Ширина
1.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Bipolar NPN & JFET Transistor, ON Semiconductor
Compact space-saving composite SMT package incoporating both an NPN Bipolar Transistor and N-channel JFET. In some devices the NPN emitter and JFET drain share a common connection.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
10 → 20mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-15V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CPH
Число контактов
5
Емкость сток-затвор
10пФ
Емкость исток-затвор
2.9пФ
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
0.9мм
Ширина
1.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Bipolar NPN & JFET Transistor, ON Semiconductor
Compact space-saving composite SMT package incoporating both an NPN Bipolar Transistor and N-channel JFET. In some devices the NPN emitter and JFET drain share a common connection.