Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
1.2 to 3mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
200 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CP
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
4пФ
Емкость исток-затвор
1.1пФ
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
1.1мм
Ширина
1.5мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 50 | P.O.A. |
100 - 200 | P.O.A. |
250 - 450 | P.O.A. |
500 - 950 | P.O.A. |
1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
1.2 to 3mA
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-30V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
200 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CP
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
4пФ
Емкость исток-затвор
1.1пФ
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
1.1мм
Ширина
1.5мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.