Nexperia BCV27,215 Пара Дарлингтона

Код товара RS: 865-2097Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BCV27,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

4000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

100нА

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Длина

3мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 22,35

Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

Nexperia BCV27,215 Пара Дарлингтона
Select packaging type

тг 22,35

Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

Nexperia BCV27,215 Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
100 - 400тг 22,35тг 2 235,00
500 - 900тг 22,35тг 2 235,00
1000 - 1400тг 17,88тг 1 788,00
1500 - 2900тг 17,88тг 1 788,00
3000+тг 17,88тг 1 788,00

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

4000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

100нА

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Длина

3мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia