Nexperia BCV27,215 Пара Дарлингтона

Код товара RS: 865-2097PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: BCV27
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

4000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

100нА

Длина

3мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Nexperia BCV27,215 Пара Дарлингтона
Select packaging type

P.O.A.

Nexperia BCV27,215 Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

4000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

100нА

Длина

3мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia