IXYS MII200-12A4 Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
270 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
Y3 DCB
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
110 x 62 x 30мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 52 799,64
Each (ex VAT)
1
тг 52 799,64
Each (ex VAT)
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 52 799,64 |
| 2 - 4 | тг 51 771,54 |
| 5 - 9 | тг 49 111,89 |
| 10 - 19 | тг 45 647,64 |
| 20+ | тг 43 287,48 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
270 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
Y3 DCB
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
110 x 62 x 30мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.