IXYS IXA60IF1200NA IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
88 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
290 Вт
Тип корпуса
SOT-227B
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
38.23 x 25.25 x 9.6мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
88 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
290 Вт
Тип корпуса
SOT-227B
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
38.23 x 25.25 x 9.6мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.