Infineon SMBT2907AE6327HTSA1 Биполярный транзистор
Техническая документация
Характеристики
Количество элементов на ИС
1
Тип транзистора
PNP
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
600 мА
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Brand
InfineonРазмеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1000 - 2000 | P.O.A. |
| 3000 - 5000 | P.O.A. |
| 6000 - 11000 | P.O.A. |
| 12000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Количество элементов на ИС
1
Тип транзистора
PNP
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
600 мА
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Brand
InfineonРазмеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм