Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный ток на входе
25 mA dc
Напряжение изоляции
4kVrms
Время нарастания
150µs
Число контактов
4
Вид монтажа
Сквозное отверстие
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
+85°C
Длина
9.39mm
Ширина
6.47mm
Глубина
4.18mm
Диапазон рабочих температур
-40 → +85 °C
Серия
PVD
Размеры
9.39 x 6.47 x 4.18 mm
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
Transistor Output - FET & MOSFET, Infineon
The PDV13 series from Infineon is a single pole, normally open, solid-state replacement for electromechanical relays used for general purpose switching of analogue signals. It utilises Infineon HEXFET power MOSFET as the output switch, driven by an integrated circuit photovoltaic generator of novel construction.
Optocouplers, International Rectifier
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 2 462,97
Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 2 462,97
Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 48 | тг 2 462,97 | тг 4 925,94 |
50 - 98 | тг 1 595,79 | тг 3 191,58 |
100 - 248 | тг 1 537,68 | тг 3 075,36 |
250 - 498 | тг 1 506,39 | тг 3 012,78 |
500+ | тг 1 475,10 | тг 2 950,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный ток на входе
25 mA dc
Напряжение изоляции
4kVrms
Время нарастания
150µs
Число контактов
4
Вид монтажа
Сквозное отверстие
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
+85°C
Длина
9.39mm
Ширина
6.47mm
Глубина
4.18mm
Диапазон рабочих температур
-40 → +85 °C
Серия
PVD
Размеры
9.39 x 6.47 x 4.18 mm
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
Transistor Output - FET & MOSFET, Infineon
The PDV13 series from Infineon is a single pole, normally open, solid-state replacement for electromechanical relays used for general purpose switching of analogue signals. It utilises Infineon HEXFET power MOSFET as the output switch, driven by an integrated circuit photovoltaic generator of novel construction.