Infineon FS150R12KT4BOSA1 Модуль транзистора IGBT

Код товара RS: 110-7108Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FS150R12KT4BOSA1
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

35

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Конфигурация

3-фазный мост

Максимальный непрерывный ток коллектора

150 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное рассеяние мощности

750 Вт

Тип корпуса

EconoPACK 3

Размеры

122 x 62 x 17мм

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon FS150R12KT4BOSA1 Модуль транзистора IGBT
Select packaging type

P.O.A.

Infineon FS150R12KT4BOSA1 Модуль транзистора IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

35

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Конфигурация

3-фазный мост

Максимальный непрерывный ток коллектора

150 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное рассеяние мощности

750 Вт

Тип корпуса

EconoPACK 3

Размеры

122 x 62 x 17мм