Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

Код товара RS: 244-5819PБренд: InfineonПарт-номер производителя: FD150R12RT4HOSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

150 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

790 W

Количество транзисторов

1

P.O.A.

Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
Select packaging type

P.O.A.

Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Максимальный непрерывный ток коллектора

150 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

790 W

Количество транзисторов

1