Техническая документация
Характеристики
Количество элементов на ИС
1
Тип транзистора
PNP
Число контактов
3
Типичный входной резистор
10 кΩ
Конфигурация транзистора
Одинарный
Типичный коэффициент резистора
1
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Brand
InfineonРазмеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
50
P.O.A.
Стандартная упаковка
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 1200 | P.O.A. |
1250 - 4950 | P.O.A. |
5000 - 24950 | P.O.A. |
25000 - 149950 | P.O.A. |
150000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Количество элементов на ИС
1
Тип транзистора
PNP
Число контактов
3
Типичный входной резистор
10 кΩ
Конфигурация транзистора
Одинарный
Типичный коэффициент резистора
1
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Brand
InfineonРазмеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм