Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
600 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
3 кВт
Тип корпуса
M153
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
108 x 62 x 36мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
IGBT Modules 1-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
600 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
3 кВт
Тип корпуса
M153
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
108 x 62 x 36мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
IGBT Modules 1-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.