Fairchild ISL9V5036S3ST IGBT, 46 A 420 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Код товара RS: 862-9362Бренд: Fairchild SemiconductorПарт-номер производителя: ISL9V5036S3ST
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fairchild Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

46 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

420 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±14V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

тг 5 386,35

тг 1 077,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Fairchild ISL9V5036S3ST IGBT, 46 A 420 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 5 386,35
10тг 10 772,70
15тг 16 159,05
20тг 21 545,40
25тг 26 931,75
30тг 32 318,10
35тг 37 704,45
40тг 43 090,80
45тг 48 477,15
50тг 44 923,50
55тг 49 415,85
60тг 53 908,20
65тг 58 400,55
70тг 62 892,90
75тг 67 385,25

тг 5 386,35

тг 1 077,27 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Fairchild ISL9V5036S3ST IGBT, 46 A 420 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 5 386,35
10тг 10 772,70
15тг 16 159,05
20тг 21 545,40
25тг 26 931,75
30тг 32 318,10
35тг 37 704,45
40тг 43 090,80
45тг 48 477,15
50тг 44 923,50
55тг 49 415,85
60тг 53 908,20
65тг 58 400,55
70тг 62 892,90
75тг 67 385,25

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 1 077,27тг 5 386,35
50 - 195тг 898,47тг 4 492,35
200 - 395тг 773,31тг 3 866,55
400 - 795тг 759,90тг 3 799,50
800+тг 581,10тг 2 905,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fairchild Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

46 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

420 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±14V

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.