ON Semiconductor ISL9V5036S3ST IGBT
Техническая документация
Характеристики
Максимальный непрерывный ток коллектора
46 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
420 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±14V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
800
P.O.A.
800
Техническая документация
Характеристики
Максимальный непрерывный ток коллектора
46 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
420 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±14V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.