Fairchild ISL9V3040S3ST IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Код товара RS: 862-9353Бренд: Fairchild SemiconductorПарт-номер производителя: ISL9V3040S3ST
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fairchild Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

21 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

450 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±14V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 084,30

тг 616,86 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Fairchild ISL9V3040S3ST IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 084,30
10тг 6 168,60
15тг 9 252,90
20тг 12 337,20
25тг 15 421,50
30тг 18 505,80
35тг 21 590,10
40тг 24 674,40
45тг 27 758,70
50тг 25 702,50
55тг 28 272,75
60тг 30 843,00
65тг 33 413,25
70тг 35 983,50
75тг 38 553,75

тг 3 084,30

тг 616,86 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Fairchild ISL9V3040S3ST IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 084,30
10тг 6 168,60
15тг 9 252,90
20тг 12 337,20
25тг 15 421,50
30тг 18 505,80
35тг 21 590,10
40тг 24 674,40
45тг 27 758,70
50тг 25 702,50
55тг 28 272,75
60тг 30 843,00
65тг 33 413,25
70тг 35 983,50
75тг 38 553,75

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 616,86тг 3 084,30
50 - 195тг 514,05тг 2 570,25
200 - 395тг 460,41тг 2 302,05
400 - 795тг 424,65тг 2 123,25
800+тг 366,54тг 1 832,70

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fairchild Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

21 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

450 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±14V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.