Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-123F
Максимальный непрерывный прямой ток
1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
510мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
30A
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 2 793,75
тг 111,75 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 793,75
тг 111,75 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 225 | тг 111,75 | тг 2 793,75 |
250 - 725 | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
750 - 1475 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
1500 - 2975 | тг 44,70 | тг 1 117,50 |
3000+ | тг 40,23 | тг 1 005,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-123F
Максимальный непрерывный прямой ток
1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
510мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
30A
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.