DiodesZetex DGTD65T15H2TF IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexМаксимальный непрерывный ток коллектора
30 A, 60 (Pulsed) A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
ITO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.4 x 4.8 x 16.4мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Емкость затвора
1129пФ
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexМаксимальный непрерывный ток коллектора
30 A, 60 (Pulsed) A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
ITO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.4 x 4.8 x 16.4мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Емкость затвора
1129пФ
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
China