Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип логики
CMOS, TTL
Выходной ток
290 mA, 600 mA
Напряжение питания
20V
Число контактов
8
Тип корпуса
SOIC
Время спада
90нс
Количество выходов
1
Время нарастания
170нс
Топология
Полумост
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Независимый
Количество драйверов
2
Тип перемычки
Полумост
Полярность
Неинвертирующий
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Информация о товаре
Half-Bridge Gate Drivers, Diodes Inc
Capable of driving the gates of N-channel MOSFETs and IGBTs in a half-bridge configuration. The half-bridge circuit consists of upper and lower MOSFETs connected in a cascode arrangement. The two MOSFET switches are turned on and off complementary to each other.
MOSFET & IGBT Drivers, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
10
P.O.A.
Стандартная упаковка
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип логики
CMOS, TTL
Выходной ток
290 mA, 600 mA
Напряжение питания
20V
Число контактов
8
Тип корпуса
SOIC
Время спада
90нс
Количество выходов
1
Время нарастания
170нс
Топология
Полумост
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Независимый
Количество драйверов
2
Тип перемычки
Полумост
Полярность
Неинвертирующий
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Информация о товаре
Half-Bridge Gate Drivers, Diodes Inc
Capable of driving the gates of N-channel MOSFETs and IGBTs in a half-bridge configuration. The half-bridge circuit consists of upper and lower MOSFETs connected in a cascode arrangement. The two MOSFET switches are turned on and off complementary to each other.