IGBT Module,1200V,200A,Half Bridge

Код товара RS: 742-3312Бренд: DAWIN ElectronicsПарт-номер производителя: DM2G200SH12AE
brand-logo
Просмотреть все в Модули БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

DAWIN Electronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

275 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

1.35 kW

Конфигурация

Серия

Тип корпуса

7DM-2

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Тип канала

N

Число контактов

7

Размеры

94 x 48 x 30мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IGBT Module,1200V,200A,Half Bridge

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

IGBT Module,1200V,200A,Half Bridge
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

DAWIN Electronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

275 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

1.35 kW

Конфигурация

Серия

Тип корпуса

7DM-2

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Тип канала

N

Число контактов

7

Размеры

94 x 48 x 30мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C