Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальный непрерывный прямой ток
16A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
1200V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
3.93V
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Кремниевое соединение
Пиковое время обратного восстановления
135нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
190A
Информация о товаре
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
тг 3 383,79
тг 3 383,79 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 3 383,79
тг 3 383,79 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | тг 3 383,79 |
10 - 99 | тг 3 316,74 |
100 - 249 | тг 2 686,47 |
250 - 499 | тг 2 418,27 |
500+ | тг 2 172,42 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальный непрерывный прямой ток
16A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
1200V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
3.93V
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Кремниевое соединение
Пиковое время обратного восстановления
135нс
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
190A
Информация о товаре
HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor
The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any diF/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.