Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
50 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Высота
1.58мм
Размеры
9.9 x 3.91 x 1.58мм
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Длина
9.9мм
Ширина
3.91мм
тг 245,85
тг 245,85 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 245,85
тг 245,85 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | тг 245,85 |
10 - 49 | тг 183,27 |
50 - 99 | тг 160,92 |
100 - 249 | тг 143,04 |
250+ | тг 125,16 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Texas InstrumentsТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
50 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Высота
1.58мм
Размеры
9.9 x 3.91 x 1.58мм
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Длина
9.9мм
Ширина
3.91мм