Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
39.3V
Минимальное пробивное напряжение
20V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
ПЛОСКИЙ SMB (DO221-AA)
Максимальное обратное напряжение стабилизации
18V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
600W
Максимальный пиковый импульсный ток
102A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3.95 x 4.6 x 1.05мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.05мм
Ширина
4.6мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Рабочее напряжение
18V
Напряжение электрических разрядов
30кВ
Емкость
150пФ
Длина
3.95мм
Страна происхождения
Morocco
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
39.3V
Минимальное пробивное напряжение
20V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
ПЛОСКИЙ SMB (DO221-AA)
Максимальное обратное напряжение стабилизации
18V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
600W
Максимальный пиковый импульсный ток
102A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3.95 x 4.6 x 1.05мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
1.05мм
Ширина
4.6мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Рабочее напряжение
18V
Напряжение электрических разрядов
30кВ
Емкость
150пФ
Длина
3.95мм
Страна происхождения
Morocco