STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E

Код товара RS: 829-0627PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: PD55015-E
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerSO

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

10

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

73 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

9.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

9.6мм

Максимальная рабочая температура

+165 °C

Высота

3.6мм

Типичный коэффициент усиления по мощности

14 дБ

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5 A, 40 V, 10-Pin PowerSO PD55015-E
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerSO

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

10

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

73 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

9.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

9.6мм

Максимальная рабочая температура

+165 °C

Высота

3.6мм

Типичный коэффициент усиления по мощности

14 дБ

Информация о товаре

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics